标准单元库

作为新濠天地基础知识产权投资组合的一部分, 高速, 高密度, 和低功耗设计Ware®逻辑库为各种片上系统(SoC)设计提供完整的标准电池平台解决方案. 除了新濠天地经过硅验证的标准细胞库,还可以使用 动力优化套件(POKs) 工程变更单(ECO)套件 性能优异,具有低功耗和小面积的先进节点 领先的铸造厂.

理想的平板电脑, 智能手机, 手机, 图形, 网络, 存储, 以及其他需要低功率和高密度的高性能应用, 新濠天地的设计Ware逻辑库和 记忆的编译器 提供一套独特的选项,使SoC设计师能够优化他们的产品的速度, area, 动态功率, 备用电源, 和成本.

多架构,多VTs,多通道长度

标准单元库提供了三种独立的体系结构, 高速(HS), 高密度(高清), 和超高密度(UHD), 优化电路的性能, 电力和区域的权衡.

标准电池库在大多数工艺中包括多个电压阈值植入物(vt),从180-nm到3-nm,并支持多个通道(MC)栅极长度,以最小化40-nm及以下的泄漏功率.

SiWare逻辑库

设计Ware嵌入式内存和逻辑库可用于多个铸造和工艺技术, 包括GLOBALFOUNDRIES, 中芯国际台积电, 联华电子.

设计Ware Duet嵌入式内存和逻辑库数据表

GF 22FDX嵌入式内存,逻辑库 & IOs数据表
GF 40LP-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
GF 55LPe-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
中芯国际 40LL-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
中芯国际 65LL-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
TSMC 16FF+ -Duet嵌入式内存和逻辑库Datasheet
TSMC 16FFC-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
TSMC 28HP-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
TSMC 28HPC+ -Duet嵌入式内存和逻辑库Datasheet
TSMC 28HPC-Duet嵌入式存储器和逻辑库数据表
TSMC 28HPM-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
TSMC 40LP-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
TSMC 65LP-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
台积电N6 基础知识产权 Datasheet
台积电N7 基础知识产权 Datasheet
umc28hlp - duet嵌入式内存和逻辑库数据表
umc28hpc - duet嵌入式内存和逻辑库数据表
联华电子 40LP-Duet嵌入式内存和逻辑库数据表
联华电子 40ULP -二重奏嵌入式内存和逻辑库数据表

 

突出了
特性
  • 最大的性能
    • 用于GHz处理器关键路径的高性能库
    • 在较少的迭代中接近时间,而不牺牲面积或功率
  • 最小功率
    • 多通道库4X-5X静态功率降低
    • 超过200单元的电源优化套件
    • 支持低功率UPF和CPF EDA流程
  • 最大密度
    • 获得专利的NXT标准单元架构,实现最高的路由利用率
    • 每个进程有多个单元高度(#轨迹),以实现最佳权衡
    • 手工制作的最大密度布局
    • 深度细胞集功能和驱动强度为最佳细胞选择
    • 最佳引脚放置最高的布线密度
  • 高收益
    • 面向制造的设计(DFM)-感知设计和验证
    • 冗余的联系人
    • 电迁移(EM)符合最高速度
  • 全面的解决方案
    • 电气,物理和eda视图与设计Ware嵌入式内存产品一致
    • 多vdd特性与低电压和超速驱动pvt
  • 每个流程节点有多个库
    • 基本库包括多个架构/ VTs中最小信道长度的单元集
    • 多通道长度库(MC)减少泄漏在40 nm和更小,并减少模具到模具泄漏和时序变异性
    • 电源优化套件可以关闭和多个电压域
    • ECO套件支持只使用金属的后硅修复,以经济有效地解决bug
    • 高性能核心(HPC)设计套件提供40纳米和更小的数据路径单元和多位触发器
    • 金属可编程库的灵活,只有金属的设计变化在产品的生命周期
    • 超低泄漏库提供高达100倍的泄漏减少构建始终在上块
  • 实现最优功率、性能和面积的多单元体系结构
    • 高速(高)库,用于关键路径的最终性能
    • 带有平衡PPA的通用逻辑的高密度(短)库
    • 超高密度(最短)库最低的功率,最低的成本和最高的密度
  • 优化细胞集
    • 丰富的合成友好细胞集多种细胞变异和驱动强度
    • 特殊单元,如集成时钟门(ICG), 多比特触发器和路由支持单元
  • 准确的描述
    • HSPICE®准确性
    • 传播延迟和约束(设置、保持、删除 & 恢复,最小脉冲宽度)
    • 角落特定提取在高级节点
  • EDA的观点
    • 利伯缇®定时,噪声和电源,CCS定时,噪声和ECSM定时
    • 其他专业模型
  • 工艺、电压和温度(PVT)表征角的可用性
    • 标准,超速驱动和低电压PVT集群定时和泄漏
    • pvt与设计Ware内存编译器pvt对齐
    • 可自定义PVT开发
  • 在高级节点上使用分割批次验证了硅
    • 与EDA模型相关
    • 对VDDMin进行低压测试